自由財經 記者洪友芳／專題報導
受惠AI帶動記憶體需求強勁，市況供不應求帶動價格飆漲，記憶體族群股價時來運轉，鹹魚翻身變成市場熱門搶手貨。展望2026年，國內外記憶體業者異口同聲將持續是結構性缺貨漲價的一年，記憶體全年可望走向「好年冬」，儘管部分業者已規劃展開擴產卻緩不濟急；預估上游到中游的記憶體廠及模組廠等供應商是缺貨漲價的受惠族群，但下游消費電子包括手機、筆電等全球終端產品則是受害對象，面臨成本提高考驗，廠商恐要調漲價格或調降規格以對，衝擊銷售量估計難以倖免。
缺貨漲價潮 目前還看不到盡頭
去年上半年，記憶體市況仍慘澹，供應鏈從上游到下游，營運虧損居多，但市場供需情況於第三季開始快速反轉。業界指出，因AI相關的伺服器佈建需求優於預期，各大雲端服務供應商（CSP）擴大高階記憶體備貨，同時擬定2026、2027年的採購計畫，國際大廠包括三星、SK海力士、美光也卯足全力投入生產AI需求的高階記憶體，在產能排擠下，造成市場大缺貨，供應商採取「以價制量」，大幅提高產品售價。記憶體罕見出現全面缺貨漲價市況，預期今年將延續，甚至有的業者認為將持續到明年、目前還看不到盡頭。
根據研調機構集邦科技（TrendForce）調查指出，DRAM原廠持續大規模轉移先進製程、新產能生產伺服器與高頻寬記憶體（HBM）的應用，以滿足AI伺服器的需求，其他市場供給更嚴重緊縮，預估今年第一季整體一般型傳統DRAM合約價將季增55-60%。此外，AI推論帶動的伺服器建置持續驅動美系CSP採購，業者於去年底起持續向原廠釋出拉貨或追加伺服器應用的DRAM需求，在原廠庫存水位見底的情況下，供不應求市況加劇，伺服器相關DRAM價格估季增逾60%。
大廠改生產HBM 傳統DRAM廠賺翻了
北美CSP業者加碼AI基礎建設，市場預期今年全球伺服器市場將迎來成長高峰，帶動企業級SSD需求增多，這將成為NAND Flash最大應用。儲存型的NAND Flash因原廠控管產能，伺服器強勁拉貨排擠其他應用，研調估計各類產品合約價持續上漲33-38%。
隨著國際主要NAND Flash製造商退出或減少MLC NAND Flash生產，並集中資本支出與研發資源在先進製程，預估2026年全球MLC NAND Flash產能將年減41.7%，供需失衡情況加劇，MLC NAND Flash市場出現明顯追貨、提前鎖量現象，價格續顯著上漲；NOR Flash也傳出第一季合約價補漲3成以上，今年恐逐季調漲。
